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삼성전자가 기존 제품보다 처리 속도가 10배 빠른 차세대 낸드플래시를 세계 최초로 양산한다. 삼성전자는 12일 초고속 낸드플래시 규격인 ‘토글(Toggle) DDR(더블 데이터 레이트) 2.0’을 적용한 20나노급(1나노는 10억분의 1ｍ)의 64Gb(기가비트) MLC(멀티 레벨 셀) 낸드플래시를 생산한다고 밝혔다. 신제품은 데이터 처리 속도가 초당 400Mb(메가비트)로 SDR(싱글 데이터 레이트) 방식의 범용 낸드플래시(40Mbps)보다 10배, 또 토글 DDR 1.0 방식의 낸드플래시(133Mbps) 보다 3배 각각 빠르다. 또 속도가 두 배 이상 빨라지는 USB 3.0, SATA 6Gbps 등의 차세대 인터페이스를 적용해 고성능ㆍ대용량 제품에 가장 적합한 낸드플래시 솔루션이라고 삼성전자는 설명했다. 홍완훈 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 부사장은 “이 제품으로 4G(세대) 스마트폰, 태블릿PC, 6.0Gbps SSD 등 비약적으로 커지는 신제품 시장을 이끌 계획”이라고 말했다. 앞서 삼성전자는 지난해 토글 DDR 1.0 방식의 20나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 업계 처음으로 양산했다. 삼성전자는 하반기부터 스마트폰, SSD, 메모리 카드 생산 업체들이 64Gb 고속 낸드플래시를 기반으로 고성능ㆍ대용량의 제품을 다양하게 출시할 것으로 예상했다. 아이서플라이는 세계 낸드플래시 시장은 수량 기준으로 2015년까지 연평균 54%의 성장세를 보이고, 64Gb 이상 제품의 비중도 2010년 3%에서 내년 70%로 높아질 것으로 전망했다.
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