[대우전자] 실리콘게르마늄 반도체 개발

25일 대우전자(대표 장기형)는 비메모리 반도체 전문 연구법인인 ㈜에이에스비(대표 염병렬)와 공동으로 실리콘 소재의 차세대 무선통신 전용 반도체인 70GHZ급 실리콘게르마늄 반도체 개발에 성공했다고 밝혔다.실리콘게르마늄 반도체는 현재 1GHZ급 이상의 무선통신용으로 활용되고 있는 기존 갈륨비소(GASA) 반도체에 비해 열 전도율이 3배 이상 빠르고 출력효율도 10배 가량 우수해 초고속 무선통신에 적합한 것으로 알려졌다.

이 반도체는 PCS 등 초고속 무선통신망 외에 위성위치 확인 시스템(GPS), 자동항법시스템(CSN), 광대역 무선 가입자망, 지능형 교통시스템 등으로 응용할 수 있다.

최진성 대우전자 반도체사업 부장은 『실리콘게르마늄 반도체는 세계적으로도 미국의 IBM 만이 65GHZ급 개발에 성공했다』며 『이번 개발은 에이에스비의 기술을 기반으로 대우전자가 양산화 기술로 발전시킨 것으로 내년부터 6개월 간의 품질 테스트를 거쳐 이르면 내년 6월, 월 10만개씩 양산에 들어갈 예정』이라고 말했다.

崔부장은 『실리콘게르마늄 반도체는 기존의 반도체 생산 공정을 활용해 제조할 수 있어 별도의 추가 설비가 필요하지 않다』며 『소재가격이 저렴해 제조 단가를 갈륨비소 반도체의 40% 선으로 낮출 수 있다』고 설명했다.

대우전자는 우선 국내 무선통신 기지국 및 중계기에서 사용하고 있는 고주파 파워 트랜지스터에 실리콘게르마늄 반도체 기술을 접목시킬 예정이다.

대우전자 이와 관련, 150억원을 투자해 2000년 하반기부터 PCS, GSM, IMT-2000 등 차세대 무선통신용 고주파 집적회로 개발에 나서기로 했다.

김형기기자[e-mail]