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한국 반도체의 양대 축인 삼성전자와 하이닉스가 마침내 손을 잡았다. 반도체 산업 전반에 몰아치고 있는 복합 위기에 맞서 세계 1, 2위 기술력과 시장장악력을 지닌 양사가 공동 전선을 구축, 상생의 길을 모색하려는 의도로 풀이된다. 권오현 삼성전자 반도체총괄 사장과 김종갑 하이닉스 사장 등 국내 반도체 업계 대표는 25일 반도체통합협회 출범식에서 ▦신(新) 메모리 공동 연구개발(R&D) ▦반도체 산업 표준화 주도 ▦장비ㆍ재료 국산화 확대 등 반도체 기술 관련 3대 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다. 삼성전자와 하이닉스가 ‘반도체 3대 기술협력’에 합의함으로써 세계 반도체 시장에 적잖은 영향을 끼칠 것으로 전망된다. 양사는 이에 따라 오는 9월부터 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동R&D를 시작하기로 했다. 양사는 또 수직자기형 비휘발성 메모리(STT-M램)도 공동 개발할 계획이다. 양사는 또 450㎜급 차세대 웨이퍼 규격 전환에 대비해 8월 ‘표준화협의체’를 구성할 예정이다. 아울러 반도체 장비ㆍ재료 국산화율을 높이기 위해 양사는 내년까지 국산 장비ㆍ재료 총 6,463억원어치를 구매하기로 했다. 반도체 업계는 이날 시스템반도체 업계 중심으로 따로 설립됐던 한국반도체연구조합을 한국반도체산업협회에 통합하기로 했다. 반도체통합협회는 임시총회에서 권 사장을 신임 회장으로 선출하고 비메모리 반도체 시장을 적극 공략하기로 했다. 지식경제부도 2015년 비메모리 반도체 시장점유율 10% 달성을 목표로 업계를 전폭 지원하기로 했다. 이윤호 장관은 행사에 참석해 “메모리 반도체 분야에 비해 취약한 비메모리 분야의 발전전략을 모색해야 한다”며 “이 분야를 새 성장동력으로 육성해 고부가가치를 창출할 것”이라고 말했다.
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