회사 측은 “이 기술을 활용하면 SiC 전력소자 개발기간을 단축할 수 있고 1,000V급 이상의 SiC 전력소자 기반 기술확보도 용이할 것”이라고 설명했다.
개발 기간은 내년 5월31일까지며 예상투자금액은 정부출연금 2억8,000만원, 민간부담금 1억8,700만원이다.
/박민주기자 parkmj@sedaily.com
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광전자, 미래부와 기술제휴 계약 체결
입력2016-06-29 10:33:31
수정
2016.06.29 10:33:31
박민주 기자
광전자(017900)는 미래창조과학부, 한국전자통신연구원과 650V/20A급 SiC다이오드 핵심공정 개발 관련 기술제휴 계약을 체결했다고 29일 공시했다.
회사 측은 “이 기술을 활용하면 SiC 전력소자 개발기간을 단축할 수 있고 1,000V급 이상의 SiC 전력소자 기반 기술확보도 용이할 것”이라고 설명했다.
개발 기간은 내년 5월31일까지며 예상투자금액은 정부출연금 2억8,000만원, 민간부담금 1억8,700만원이다.
/박민주기자 parkmj@sedaily.com
회사 측은 “이 기술을 활용하면 SiC 전력소자 개발기간을 단축할 수 있고 1,000V급 이상의 SiC 전력소자 기반 기술확보도 용이할 것”이라고 설명했다.
개발 기간은 내년 5월31일까지며 예상투자금액은 정부출연금 2억8,000만원, 민간부담금 1억8,700만원이다.
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