세계 3위의 D램 업체인 미국 마이크론테크놀로지가 일본 히로시마 공장에서 2026년을 목표로 차세대 고대역폭메모리(HBM) 양산에 나선다. 마이크론은 일본 정부의 전폭적인 지원 아래 업계 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스를 따라잡기 위한 연구개발(R&D)에 박차를 가하고 일본은 마이크론 유치를 통해 자국 내 반도체 산업의 부활을 꾀하는 모습이다.
마니시 바티아 마이크론 수석부사장은 3일 니혼게이자이신문과의 인터뷰에서 “2025년까지 일본에 최첨단 극자외선(EUV) 장비를 도입하고 2026년부터 인공지능(AI)용 데이터센터에 적용되는 차세대 HBM을 양산할 계획”이라고 밝혔다. 바티아 수석부사장은 이어 “(일본 정부의) 지원금은 HBM 연구개발과 반도체 생산에 활용할 것”이라고 덧붙였다. 일본 경제산업성은 최근 마이크론의 히로시마 공장에 최대 1920억 엔(약 1조 7502억 원)의 보조금을 지급한다고 공식 발표했다. 이는 마이크론이 향후 일본에 쏟아부을 전체 투자액 5000억 엔의 40% 수준에 달한다.
현재 D램 시장에서 삼성전자·SK하이닉스에 뒤처진 마이크론은 차세대 HBM 시장을 판세를 뒤집을 다음 승부처로 보고 제품 개발에 나섰다. HBM은 D램을 여러 겹 쌓아 데이터 처리 속도와 용량을 높인 제품으로 생성형 AI 시장의 성장과 함께 수요가 급증하고 있다.
마이크론은 히로시마 공장을 거점으로 구세대 제품의 제조 라인을 HBM 중심으로 전환하고 생산을 대폭 늘릴 계획이다. 1-감마(10나노미터 6세대급) 공정의 신형 D램 연구개발에도 속도를 낸다. 세계 D램 시장점유율은 지난해 기준 삼성전자가 42.5%로 1위이며 그 뒤를 SK하이닉스(28%), 마이크론(24.6%)이 쫓고 있다. 현재 시장 주력인 HBM3에서도 이미 두 선두 업체에 밀린 마이크론은 차세대 HBM3E로 반전을 모색하고 있다. 마이크론은 최근 엔비디아 등 주요 고객사에 HBM3E 샘플을 보내 성능 테스트를 진행하고 있는 것으로 알려졌다.
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