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하이닉스 세계 첫 6Gb 모바일 D램 개발

SK하이닉스 6Gb LPDDR3

SK하이닉스는 차세대 고사양 스마트폰에 사용될 수 있는 6Gb(기가비트) LPDDR3 제품을 세계 최초로 개발했다고 30일 밝혔다.

이 제품은 20나노급 기술이 적용됐으며 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 모바일 메모리 솔루션이다.

이 제품을 4단으로 쌓으면 3GB(24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 이 경우 4Gb 제품을 6단으로 쌓은 것과 용량은 같지만 동작 전력뿐 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄일 수 있으며 패키지 높이를 보다 얇게 할 수 있다. 또 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 모바일 기기가 요구하는 저전력의 특성을 만족시킨다.

이 제품의 속도는 1,866Mbps이며 32개의 정보출입구를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB, 듀얼 채널은 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.

이번에 개발된 제품은 하나의 패키지 위에 다른 기능을 하는 패키지를 적층하는 PoP 방식으로 모바일 기기에 사용될 수 있다.



SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 고객에게 공급하기 시작했으며 내년 초 양산을 목표로 하고 있다.

현재 스마트폰에는 2GB D램이 주로 쓰이고 있으며 지난달 말 출시된 갤럭시 노트3부터 3GB D램이 사용되기 시작했다. 3GB D램은 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화될 것으로 예상된다.

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장 전무는 “지난 6월 세계 최초로 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 이번에 20나노급 6Gb LPDDR3 제품을 개발하게 돼 고용량 모바일 제품의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다”고 말했다.
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