삼성전자, 30나노급 1.25V서버용 D램 개발

삼성전자는 15일 업계 최초로 4Gb DDR3(Double Data Rate 3) D램을 기반으로 엔터프라이즈 서버향 1.25V 16GB(기가바이트) DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module) 제품을 개발했다고 밝혔다.

삼성전자는 16일 싱가포르에서 열리는 ‘삼성 반도체 최고정보관리책임자(CIO) 포럼’에서 그린 메모리 전략을 발표하며 30나노급 1.25V 서버용 D램 제품을 공개할 예정이다.

삼성전자는 2009년 40나노급 DDR D램을 출시하며 저전력 제품 라인을 1.35V까지 확대했고, 이번에 30나노급 DDR D램을 기반으로 업계 최초로 1.25V까지 라인업을 확대했다.

이번에 출시한 1.25V 서버용 제품은 1,333Mbps 동작 속도의 고성능 서버에서 시간당 소비전력이 3.7W에 불과, 기존 제품보다 15% 정도 소비 전력을 절감했다. 40나노급 1.35V서버용 제품과 비교하면 전기 절감 효과가 60%에 달한다.

삼성전자는 내년부터 대규모 전력을 소비하는 데이터센터 및 대용량 엔터프라이즈 시장에 신제품을 본격적으로 공급하기 위해 4GB, 8GB, 16GB RDIMM 등 주요 제품을 추가로 개발해 고객 평가가 끝나는 대로 양산할 예정이다.

삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 전략마케팅팀의 홍완훈 부사장은 “1.25V RDIMM 제품은 저전력 서버에서 요구되고 있는 대용량ㆍ저전력 솔루션을 한 단계 더 강화한 그린 메모리 제품”이라며 “앞으로도 친환경 시스템 개발을 위해 기술 협력 및 공동 마케팅을 강화하고, 그린 IT 시장을 지속 성장시키는데 주도적인 역할을 해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 내년까지 4Gb D램을 기반으로 최대 용량인 32GB RDIMM 제품 등 전 제품군을 출시할 계획이다.

/온라인뉴스부