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앞으로 개인용 컴퓨터(PC) 속도가 1.6배 빨라진다. 삼성전자는 29일 세계 최초로 50나노급 2Gb DDR3 램을 개발해 10월부터 양산에 돌입한다고 밝혔다. 이 제품은 지난해 삼성전자가 개발한 60나노 2Gb DDR2 램의 최대 데이터 처리속도인 초당 800Mb보다 1.6배 빠른 1,333Mb 속도를 구현했다. 50나노 공정을 사용해 60나노급보다 원가도 크게 절감할 수 있게 됐다. 웨이퍼당 칩 수가 늘어나게 돼 원가가 낮아진다. 삼성에 따르면 50나노급 2Gb DDR3 램의 생산효율은 60% 향상된다. 또한 기존 제품보다 칩 수가 줄어들어 제품에 사용되는 전력도 절반 가까이 감소시킬 수 있어 판매전략 수립도 용이하다. 8Gb D램 모듈의 경우 기존에는 D램 72개로 구성됐지만 이번 제품을 사용하면 36개로 대체할 수 있어 전력뿐 아니라 발열량도 줄어든다. 이에 따라 D램 업계에서 절대적인 1위 자리를 지켜온 삼성은 차세대 D램 경쟁에서도 유리한 위치에 서게 됐다. 삼성은 이번 제품을 데스크톱PCㆍ노트북 등 개인 컴퓨터뿐 아니라 서버용 컴퓨터에도 포괄적으로 적용해 D램의 세대교체를 이끌 방침이다. 삼성전자의 한 관계자는 “이번 제품 개발로 D램의 세대교체가 이뤄진다는 점에서 주도권 유지 면에서 의미가 크다”며 “50나노급 2Gb DDR3 램은 수년 내 D램 시장의 주력 제품이 될 것”이라고 설명했다. 한편 반도체시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 전체 D램 시장에서 오는 2009년 29%, 2011년에는 75% 규모로 성장할 것으로 전망된다.
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