|
삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 양대 반도체 회사가 올 4ㆍ4분기부터 내년까지 10조원가량에 이르는 설비투자를 집행한다. 이를 통해 미세공정 전환을 더욱 가속화해 40나노 제품 생산 비중을 크게 확대, 시장점유율 60% 달성이라는 꿈의 기록에 도전한다. 29일 삼성전자와 하이닉스 등이 3ㆍ4분기 분기보고서 등을 통해 공개한 4ㆍ4분기와 내년 설비투자 세부 집행계획을 보면 양사가 4ㆍ4분기부터 내년까지 10조원가량을 투자한다. 이 같은 금액은 양사의 3ㆍ4분기까지 누적 시설투자액의 3~4배에 해당하는 규모다. 업체별로 보면 삼성전자는 4ㆍ4분기에서만 반도체 부문에 2조2,000억원가량을 투자한다. 이와 별도로 내년에 연결 기준으로 5조5,000억원 이상을 투자하는 등 4ㆍ4분기부터 내년까지 최소 7조7,000억원의 시설투자를 계획하고 있다. 하이닉스도 공격적으로 투자에 나선다. 4ㆍ4분기에 2,000억원을 시설투자에 사용하고 내년에는 최고 1조5,000억원에서 2조원의 투자를 계획하는 등 전체적으로는 1조7,000억원에서 2조2,000억원의 시설투자를 계획하고 있다. 이에 따라 양사의 4ㆍ4분기부터 내년까지 예정된 시설투자금액은 9조4,000억원에서 9조9,000억원으로 10조원에 육박하고 있다. 삼성전자는 7조7,000억원에 이르는 시설투자금액의 상당 부분을 화성 10라인의 300㎜ 전환과 성능 개선을 통한 40나노 제품 생산 비중 확대에 주력할 계획인 것으로 알려졌다. 증권 업계의 한 관계자는 "화성 10라인의 경우 내년 상반기 중으로 가동이 예상된다"며 "미세공정 전환을 통한 40나노 제품 생산능력 확충에 투자의 초점이 맞춰질 것으로 보인다"고 말했다. 삼성전자는 지난 7월부터 40나노 공정을 도입해 현재 전체 생산량 중 10% 안팎을 40나노에서 생산하고 있는 것으로 전해지고 있다. 하이닉스도 낸드플래시 보완 투자와 40나노 제품 생산 비중 확대에 주력할 계획이다. 낸드플래시 라인인 청주 M11 라인의 경우 현재 생산량이 4만~4만5,000장가량이다. 보완투자로 생산량을 늘리고 동시에 40나노 제품 생산 비중 확대를 위한 성능 개선에 집중할 방침이다. 현재 차세대 D램 제품으로 부상하고 있는 DDR3의 경우 40나노급에서 생산할 수 있는 능력을 갖춘 회사는 삼성전자와 하이닉스가 유일하다. 한편 매출 기준으로 3ㆍ4분기 시장점유율을 보면 삼성전자가 1위로 35.5%를 기록하고 있다. 2위는 하이닉스로 21.7%를 기록, 양사의 통합 점유율이 57.2%를 보이고 있다. 현재 계획된 설비투자와 경쟁업체의 부진 등을 감안해볼 때 이르면 내년 상반기 중으로 통합 점유율 60% 달성도 가시화될 것으로 예상된다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
