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삼성전자가 머리카락 두께의 1,400분의 1에 달하는 초미세 반도체 제조기술인 70나도 공정기술을 적용해 세계 최초로 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다. 이에 따라 삼성전자는 지난 2001년 100나노(1나노=10억분의 1ｍ) 기술에 이어 90나노(2002년), 80나노(2003년), 70나노에 이르는 4세대 D램 공정기술 분야의 그랜드슬램을 달성하게 됐다. 삼성전자 관계자는 12일 “이번 70나노 기술 개발로 해외 경쟁업체를 확실하게 따돌리게 됐다”며 “세계적으로 2세대 앞선 양산 기술력을 조기에 확보하게 됐다”고 말했다. 삼성전자가 이번에 개발한 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품에 비해 생산성이 2배정도 뛰어나고, PC 및 각종 모바일 기기에도 최적의 성능을 나타낼 것으로 기대되고 있다. 특히 삼성전자는 기존 90나노와 80나노 공정기술과 기술 연속성을 유지, 70나노 제품 양산시 추가 투자를 대폭 줄일 수 있는 장점이 있어 업계 최고의 원가 경쟁력을 한층 강화할 것으로 기대하고 있다. 회사 관계자는 “이번 70나노 D램 개발에 이어 차세대 D램 개발을 가속화함으로써 D램 부문에서도 업계와의 기술 격차를 더욱 벌려 나간다는 전략”이라며 “향후 1~2기가 D램까지 70나노 기술의 적용을 확대하는 등 대용량 D램 시장을 주도해 나갈 방침”이라고 밝혔다. 삼성전자는 현재 양산 중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램은 올 하반기부터, 이번에 개발된 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 돌입할 예정이다. 한편 새로운 차세대 게임기 출시와 3세대 휴대폰 비중 확대, 신PC 운영체제 출시 등에 따라 전세계 D램 시장은 올해 265억 달러에서 2009년 374억 달러로 안정적인 성장세를 유지할 것으로 전망된다.
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