현대전자 ,차세대 메모리 FE램 개발

현대전자는 D램과 S램, 플래시 메모리 등 메모리반도체 제품의 기능을 결합한 차세대 메모리 반도체인 64K와 256K FE램을 제품화하는데 성공했다고 17일 밝혔다.FE램은 D램의 용량과 S램의 속도, 플래시 메모리의 정보보존 기능 등 특성을 결합한 비휘발성 메모리로 기존의 메모리 반도체보다 동작 전압이 낮고 정보 기록 속도가 1천배 이상 빨라진 제품이라고 현대전자는 설명했다.

현대전자는 이번에 개발한 64K와 256K FE램을 3.4분기부터 세계 주요 관련업체에 상용화 샘플로 제공, 품질을 검증받은 뒤 이동전화와 개인정보 단말기, 스마트폰,스마트카드 등 시장을 겨냥해 본격 출시할 계획이다.

64K FE램의 경우 2V의 저전압에서 사용이 가능하며 256K는 3-5V의 넓은 범위의전압에서 사용할 수 있다.

한편 삼성전자는 지난해 업계 처음으로 메모리 제품의 장점만을 결합한 4메가급FE램을 개발했다고 발표했었다.

세계 FE램 시장 규모는 2002년 약 12억 달러에 이를 것으로 관측되고 있다.

(서울=연합뉴스) 김성용기자 [e-mail]입력시간 2000/04/17 10:52