삼성전자 세계 최고속 4메가S램 개발

◎생산기간 짧고 싼값·저전력화 장점도삼성전자(대표 윤종룡)가 지금까지 나와있는 대용량 S램 가운데 처리속도가 가장 빠른 4메가 패스트S램을 개발했다.

이 램은 4메가비트급의 대용량 S램에서 10나노초(1조분의 1초)의 초고속을 실현한 것으로 세계 첫 개발품이다. 삼성은 이 제품이 짧은 생산기간과 낮은 생산원가로 인해 업계표준으로 자리잡고 있는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor·상보성금속산화막반도체)공정을 통해 생산, 우월한 가격경쟁력을 갖고 있다고 강조했다. 또 기존 S램은 대기전류가 10㎃인데 비해 이 제품은 1㎃에 그쳐 낮은 소비전력을 실현, 반도체칩의 획기적인 저전력화를 실현했다. 아울러 정보를 받기 위한 전기신호의 압력전압기준치를 2.0V와 0.8V로 낮춤으로써 회로주변에서 생기는 노이즈에 의한 영향을 줄이게 됐다. 영하 40도에서 영상 85도의 광범위한 동작온도, 저전압에서도 기억시킨 내용을 유지하는 높은 안정성 등으로 악조건에서도 정상적으로 동작하는 뛰어난 신뢰성을 갖고 있다고 삼성은 강조했다.

삼성은 이 제품의 샘플을 미주, 유럽, 일본, 동남아 등지의 업체에 선보이는 등 마케팅을 강화해 수출을 늘려나갈 계획이다.

▲패스트 S램=일반 S램과 같이 소비전력이 적지만 일반 S램이나 D램보다 동작속도가 3∼4배 빨라 교환기, 기지국과 같은 대형통신장비와 워크스테이션의 중앙처리장치(CPU), 회로사이의 정보교환속도를 높이기 위한 캐시메모리에 사용되며 미사일 등의 군용과 로켓 등 우주산업용으로도 많이 이용되는 고부가가치제품이다.<김희중 기자>