전체메뉴

검색
팝업창 닫기
이메일보내기

고성능·초절전·소형화..'3진법 반도체' 상용화 길터

김경록 UNIST 교수팀

누설전류 역이용해 대면적 웨이퍼에 구현

‘3진법 반도체’의 대면적 웨이퍼 구현에 성공한 김경록(앞줄 왼쪽 세번째) UNIST 교수 연구팀이 미소를 지으며 연구성과를 자축하고 있다. /UNIST




김경록 울산과학기술원(UNIST) 전기전자컴퓨터공학부 교수팀이 고성능·초절전·소형화 장점이 있는 ‘3진법 반도체’의 상용화 가능성을 세계 최초로 확인했다고 17일 밝혔다. 4차 산업혁명의 핵심인 인공지능(AI), 자율주행, 사물인터넷(IoT), 바이오칩, 로봇 등의 기술발전에 맞는 반도체를 만들 수 있는 기반을 마련한 것이다.

김 교수팀은 ‘3진법 금속-산화막-반도체(Ternary Metal-Oxide-Semiconductor)’를 대면적 웨이퍼(실리콘 기판)에 구현했다. 이 반도체는 0·1·2 값으로 정보를 처리한다. 처리해야 할 정보의 양이 줄어 계산 속도가 빠르고 전력 소비도 적다. 반도체칩 소형화에도 강점이 있다. 숫자 128을 표현하려면 2진법에서는 8개 비트(bit·2진법 단위)가 필요하지만 3진법으로는 5개 트리트(trit·3진법 단위)만 있으면 저장할 수 있다.



현재는 반도체 소자의 크기를 줄이고 집적도를 높이려면 누설전류가 커져 소비전력도 늘어나는 한계가 있다. 김 교수팀은 역으로 누설전류를 활용하는 방법으로 이 문제를 해결했다. 누설전류의 양에 따라 정보를 3진법으로 처리하도록 고안했다.

김 교수는 “2진법 반도체 소자 공정 기술을 활용해 3진법 반도체 소자와 집적회로 기술을 구현했다. 큰 면적으로 제작해 3진법 반도체 상용화 가능성까지 보여줬다”며 “메모리반도체와 시스템반도체의 공정·소자·설계 등 패러다임 변화를 선도할 것”이라고 밝혔다. 이 연구는 삼성미래기술육성사업 지원으로 이뤄졌으며 지난 15일 네이처 일렉트로닉스에 실렸다. /고광본선임기자 kbgo@sedaily.com
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
주소 : 서울특별시 종로구 율곡로 6 트윈트리타워 B동 14~16층 대표전화 : 02) 724-8600
상호 : 서울경제신문사업자번호 : 208-81-10310대표자 : 손동영등록번호 : 서울 가 00224등록일자 : 1988.05.13
인터넷신문 등록번호 : 서울 아04065 등록일자 : 2016.04.26발행일자 : 2016.04.01발행 ·편집인 : 손동영청소년보호책임자 : 신한수
서울경제의 모든 콘텐트는 저작권법의 보호를 받는 바, 무단 전재·복사·배포 등은 법적 제재를 받을 수 있습니다.
Copyright ⓒ Sedaily, All right reserved

서울경제를 팔로우하세요!

서울경제신문

텔레그램 뉴스채널

서울경제 1q60