SK실트론이 미국 미시간에 3억 달러를 투자할 계획이라고 로이터가 14일(현지시간) 보도했다.
로이터는 SK실트론이 미시간주에서 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 생산 시설을 확장하기 위해 이 같은 투자 계획을 발표할 예정이라고 전했다.
SK실트론은 작년 2월 미국 듀폰 SiC 웨이퍼 사업부를 인수했다. SiC는 Si와 탄소(C)를 높은 온도로 가열해 제조한 인공 화합물인 탄화규소로 제작한다. Si 대비 전력 변환 손실이 10분의 1 수준이다. 경도는 9.3으로 다이아몬드(경도 10)와 비슷하다. 전기차(EV)와 5세대(5G) 이동통신 등에 사용하는 전력반도체용 웨이퍼로 주목을 받고 있다.
듀폰이 SiC 기술력과 제조시설을 보유하고 있었으나 상업적으로 활용하는데 부족한 점이 많았다. SK실트론은 인수 이후 연구개발(R&D)과 공장 효율성 증대 등에 집중했다.
기존 주요 고객사는 스위스 ST마이크로일렉트로닉스와 독일 인피니언 등이 있다. SK실트론은 2022년 말을 기점으로 SiC 관련 수익이 본격화할 것으로 보고 있다.
Si 웨이퍼 분야는 캐파를 늘린다. 전 세계적인 반도체 공급난으로 원재료 수요가 넘치는 영향이다.
SK실트론은 전력관리반도체(PMIC) 이미지센서 마이크로프로세서(MPU) 등에 쓰이는 에피텍셜(Epitaxial) 웨이퍼 캐파를 증대한다. 기존 Si 제품에 단일 결정의 반도체 박막층 ‘에피’를 증착하면 에피텍셜 웨이퍼가 된다.
SK하이닉스의 청주 공장 일부 유휴공간을 활용하는 방안을 고려하고 있다. 추가되는 캐파는 월 2~3만장 수준이다. 이르면 연내 작업을 시작해 내년 하반기 양산에 돌입할 전망이다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
